Ushio kündigt mit Stolz den Beginn der Massenproduktion der „1100GD“-Produktlinie an, einer bahnbrechenden 1100-nm-LED, die ab Juni 2024 die doppelte Lichtleistung im SWIR (short wavelength infrared)-Bereich liefert.
Dieses innovative Produkt nutzt die Fortschritte, die mit der 2021 entwickelten hocheffizienten und leistungsstarken „epitex GD-Serie“ erzielt wurden, die nun für die 1100-nm-LED perfektioniert wurde. Der Chip, der auf GaAs (Galliumarsenid) basierende Materialien verwendet, bietet eine beispiellose Lichtleistung, die etwa doppelt so hoch ist wie die der bestehenden 1100-nm-Produkte der „D-Serie“. Im CW-Modus erreicht die neue LED eine Weltklasse*-Lichtleistung von 590 mW bei einem Betriebsstrom von 1 A und 880 mW bei einem Betriebsstrom von 2 A im Pulsmodus. Die höhere Lichtleistung bringt auch eine 1,8-fache Verbesserung der Energieeffizienz (Wall-Plug-Effizienz) und verspricht eine geringere Wärmeentwicklung während des Betriebs sowie minimale Änderungen der Leistungsmerkmale wie Lichtleistung und Wellenlängenverschiebung. Die „1100GD“ zeichnet sich außerdem durch eine geringere Schwankung der Lichtleistung bei Temperaturschwankungen aus, was das Management der Wärmeableitung im Vergleich zu ihren Vorgängern der „D-Serie“ erleichtert.
*Basierend auf Forschungsergebnissen von Ushio
■ Wichtigste Anwendungen
Die „1100GD“-Serie ist für eine Vielzahl von High-Tech-Anwendungen geeignet, darunter:
- Defektprüfung von Siliziumwafern
- Sonnensimulation
- Defektinspektion von Solarzellen
- Fremdkörperinspektion
- Biosensorik
- Sortieren von Lebensmitteln und anderen Materialien
- Hochtemperatur-Glasfehlerprüfung
- Maschinelles Sehen
- Füllstandskontrolle von Flüssigkeiten
- Feuchtigkeitserkennung
- Kunststoffsortierung für das Recycling
Siliziumwafer werden für Wellenlängen nahe und jenseits von 1000 nm zunehmend transparent, wobei das meiste Licht bei Wellenlängen über 1100 nm durchdringt. Infrarot-LEDs weisen bei längeren Wellenlängen in der Regel eine geringere Lichtleistung auf. Das Produkt „1100GD“ mit seiner verbesserten Lichtleistung eignet sich jedoch hervorragend für die Erkennung von internen Defekten in Wafern, da es die höheren Transmissionsraten ausnutzt.
Im Bereich der Biosensorik dringt die Wellenlänge 1100 nm tiefer in biologisches Gewebe ein und ist damit ideal für die Bildgebung und Messungen im Inneren und in der Tiefe von Gewebe. Diese Eigenschaft ist entscheidend für eine präzisere Bewertung feiner Strukturen und pathologischer Veränderungen in biologischen Geweben (siehe Abbildung 1). Darüber hinaus ist die Empfindlichkeit der hochauflösenden CMOS-Bildsensoren für die Wellenlänge 1100 nm von Vorteil für die Beobachtung und Analyse in der modernen Biosensor-Forschung und medizinischen Diagnostik, wodurch die Präzision nicht-invasiver Diagnoseverfahren verbessert werden kann.
■ Produktpalette
Die epitex 1100GD-Serie von Ushio umfasst Hochleistungschips, die in verschiedene Gehäuse wie EDC, SMBB, EDCC und andere integriert werden können. Detaillierte Informationen zur Produkthandhabung finden Sie in unseren technischen Support-Informationen.
Während die Pläne für die Massenproduktion von Standard-Power-Chip-Produkten, die für SMT- oder Molded-Type-Gehäuse geeignet sind, noch nicht entschieden sind, sind Anfragen von Interessenten will kommen, die diese Optionen erforschen möchten.
■ Datenblätter
Umfassende Spezifikationen und Produktdetails finden Sie in den folgenden Datenblättern:
EDCC1100GD-1100
SMBB1100GD-1100
SMBB1100GD-1100-02
SMBB1100GD-1100-03
SMBB1100GD-1100-05
SMBB1100GD-2100S-I
SMBB1100GD-3100S-I
EDC1100GD-1100
EDC1100GD-1100-S5
Alle Daten zu den SWIR Wellenlängen:
https://www.ushio.co.jp/en/led/products/?wavelength=1101
